我国碳化硅材料产业化取得新进展

记者从中国科学院物理研究所获悉，我国科研团队在碳化硅材料产业化方面取得新进展。源于中科院物理所关键核心技术转化的北京天科合达，近日与国际知名半导体企业英飞凌科技签订一份长期供货协议，提供6英寸碳化硅材料，确保其整个供应链的稳定。

碳化硅是一种性能优异的半导体材料。相比同类硅基器件，碳化硅器件具有耐高温、耐高压、高频特性好、体积小和重量轻等优点，在电动汽车、光伏、5G等产业领域具有重要的应用价值。

中科院物理所研究员、天科合达首席科学家陈小龙介绍，历时近20年，从基础研究、应用研究到成果转化，科研团队形成了具有自主知识产权的技术路线，进而推动碳化硅晶体产业化公司天科合达的成立，并发展为国内最大、国际第四的导电碳化硅衬底供应商。

据介绍，科研团队制造的碳化硅晶体直径已从小于10毫米逐步增大到2英寸、4英寸、6英寸和8英寸，有效降低了单位成本。在传统“气相法”晶体生长的基础上，目前科研团队还在进一步探索碳化硅“液相法”晶体生长技术。